无铅压电陶瓷这一突破性的
进展,掀起了持续至今的无铅压电陶瓷研究热潮,极大地促进了无铅压电陶瓷的研究和开发.迄今为止,可被考虑的无铅压电陶瓷体系主要有以下5类:(Bi0.5Na0.5)TiO3(缩写为BNT)基无铅压电陶瓷;K1-xNaxNbO3(缩写为KNN)基无铅压电陶瓷;铋层状结构无铅压电陶瓷;钨青铜结构无铅压电陶瓷;BaTiO3基无铅压电陶瓷.本文结合无铅压电陶瓷研究和开发的近期进展,综合评述了无铅压电陶瓷的研究思路、研究现状以及发展趋势,着重讨论了BNT基及KNN基无铅压电陶瓷的体系构建、改性手段、相变特性及温度稳定性,并就无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出了一些建议.
电子陶瓷材料的应用由於电子陶瓷具有其且优异的特性，因此在电子工业上被大量的应用，以下就应用的类别，一一的做介绍：
1.
绝缘陶瓷：
这可以说是电子陶瓷早发展的一支，在电路中作为绝缘之用。例如高压电塔上的绝缘碍子，在微电子系统中，主要是用来作为积体电路的基版的用途上，氧化铝是的材料，由於具有比高分子更高的热传系数及更强的机械强度，在IC
2.
介电陶瓷：
介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支，主要用在制作电容器，传统的电容器包括了温度补偿型，高K型与半导型。再如,已有实验表明,AgNbO3在室温下展现出双电滞回线,具有极大的极化强度(52LC/cm),有可能发展出新型的AgNbO3基无铅压电陶瓷材料。由於目前电子元件追求小型化，因此将多层的电容做积层的串连，成为积层电容器，大量的以SMT（表面黏着技术）使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件，则运用在大哥大电话，位星通讯等高频通讯的领域，在讲究个人通讯的今日，有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化，利用其高介电性，可以应用在高容量DRAM（动态随机记体）的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM，具有极高的商业潜力，利用自发性极化，可以作为非挥发性记忆体，未来可能取代硬碟，成为大容量IC
以上信息由专业从事淄博宇海压电陶瓷有限公司的宇海电子于2025/6/11 5:04:04发布
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